بررسی مطالعات صورت گرفته در زمینه جبران ساز سنکرون استاتیک (SSSC)
این پروژه یک پروژه مناسب درس الکترونیک قدرت و الکترونیک صنعتی و همچنین مناسب برای پروژه کارشناسی و سمینار کارشناسی ارشد می باشد.(فایل این پروژه ورد با تعداد 65 صفحه، و 18 مرجع لاتین (کتاب و مقاله) می باشد.)
بحث اصلی این مقاله در مورد کنترل ولتاژ در ریز شبکههای هوشمند است. در واقع ریز شبکه ها به عنوان شبکه های ولتاژ پایین و ولتاژ متوسط، با داشتن مزایا و پتانسیل های موجود می توانند یک سری مزایای کلان و عمده را برای شبکه توزیع سراسری با بهبود بازده انرژی، کیفیت توان و قابلیت اطمینان برای رضایت مشتریان فراهم کنند. در این مقاله یک ایده جدید به نام ایده توزیع زمانی و استفاده از یک شبکه مخابراتی وایرلس، عمل کنترل ولتاژ شبکه توزیع انجام شده است.
عنوان مقاله Distributed Scheduling of Wireless Communications for Voltage Control in Micro Smart Grid---by Husheng Li and Zhu Han
يشرفت اين ادوات در آينده شامل تركيب عناصر مختلف FACTS موجود به منظور توسعه دامنه عملكرد آنها خواهد بود، نظير تركيب STATCOM و TCSC. بعلاوه سيستمهاي كنترل پيچيده و مفصلتري به منظور بهبود عملكرد اين ادوات توسعه خواهند يافت.
پيشرفت در زمينه تكنولوژي نيمه هادي با ظرفيت هدايت جريان و ولتاژهاي شكست بالا ميتواند قيمت اين ادوات را به خوبي كاهش دهد و دامنه عملكرد آنها را توسعه دهد سرانجام پيشرفت در زمينه توسعه تكنولوژي ابررساناها راهي به سوي توسعه ادواتي نظير SCCL و SMESخواهد بود.
در سراسر جهان، توليد و انتقال انرژي الكتريكي به صورت اقتصادي و سازگار با محيط زيست به عنوان آيندهاي روشن بوده و FACTS به عنوان راه گشاي اين آينده مطلوب ميباشد.
در این پروژه بنا داریم تا مقاله ای را به منظور اثبات تاثیر مثبت ادوات FACTS در بهبود پروفیل ولتاژ و پایداری آن شبیه سازی و مورد تحلیل قرار دهیم
بسته مورد نظر شامل شبیه سازی کامل سیستم قدرت در حضور و عدم حضور این ادوات در حالات مختلف در نرم افزار PSAT (تحت متلب) می باشد.همچنین مقاله انتخاب شده ، نتایج شبیه سازی و همچنین گزارش کامل پروژه شبیه سازی نیز در قالب فایل WORD در ضمیمه پیوست شده است.
عنوان مقاله شبیه سازی شده : Voltage Stability Improvement using STATCOM and SVC
انرژی خورشیدی ،صفحات فوتوولتاییک و نیروگاه خورشیدی-ppt
صفحات فوتوولتاییک:
سلول خورشیدی عبارت از قطعات نیمه رسانایی هستندکهانرژی تابشی خورشید رابه انرژی الکتریکی تبدیل میکنند.رسانندگی این موادبه طور کلی به دما،روشنایی ,میدان مغناطیسی و مقدار دقیق ناخالصی موجود در نیمه رسانابستگیدارد.يكسلول خورشيدي از جنس سيليكن ،ولتاژي بين 5.0 تا 6.0 ولت توليد ميكندو به همين دليل تعدادزيادي از سلول هارادر يك ماژول خورشيدي به صورت سري متصل مي كنند تاسطحولتاژ بيشتري حاصل شود.
سلول خورشيدي كه عنصر اصلي تشكيل دهنده يك آرايه فتوولتائيك است از يك پيوند نيمه هادي n-pاز جنس سيليكن ساخته مي شود. برخورد فوتون هاي نور خورشيد به سلول خورشيدي سبب توليد الكترون در نيمه هادي گشته و با اتصال بار الكتريكي ، جريان الكتريكي جاري مي شود.
2- 5 استفادهاز نانو لوله هاي كربني در ساختپيلهايخورشيدي
6-2 پدیده فتوولتائیک
7-2 سيستم فتوولتائيك
2)قسمت واسطه يابخش توان مطلوب
11-2انواع روشهاي استفاده ازسيستمهاي فتوولتائيک
12-2کاربردصفحات فتوولتائیک
19-2برآورد هزینه سیستمهای برق خورشیدی
20-2کم شدن نگرانی هادرباره ی آلودگی ناشی ازساخت سلول های خورشیدی
23-2دودكش خورشيدی
كلكتور
8-22-2نتيجهگيري:
فصل سوم:
نيروگاه هاي خورشيدي
1-3 انواع نيروگاه هاي خورشيدي
3-3کوره خورشیدی
4-3 طول عمر مولدهای برق خورشیدی
5-3 مزیت نسبی سیستم های مولد خورشیدی
6-3سيستم های ( پكيج ) مستقل تامین برق خورشيدی
منابع ومآخذ
فرمت: doc
تعداد صفحات: 157
حجم فايل: 3332 كيلوبايت
توجه: تمامی فایل های این فروشگاه بصورت zip می باشد. لطفا پس از دانلود آن را از حالت فشرده خارج نمایید در صورت نداشتن برنامه winrar آنرا از اینجا دانلود کنید.
* در صورت بروز مشكل در خريد فايل مي توانيد از طريق ايميل و شماره تماس با ما در ارتباط باشيد.*
ایده آنتنهای میکرو استریپ اولین بار در سال 1953 توسط Deschamp مطرح شد و تا به امروز در حال رشد است. یکی از اصلیترین خواص این آنتنها انطباق با Conformity آنهاست. و اساساً به دلیل همین خاصیت، قلمرو رشد آنها بر روی بدنههای غیر مسطح گسترش یافت. مجموعه آنتن پچ شکافی دوبانده در ابعاد کوچک بر اساس روش شبیهسازی امواج الکترومغناطیسی تمام موجب در فرکانس بالا طراحی میشود.
آنتن مورد نظر با استفاده از بورد مدار چاپی LPKF و دستگاه ساخت PCB بر روی زیر لایه ماده رزین فایبرگلاس پلی مرد، اپوکسی ساخته میشود. و عملکرد نمونه اولیه در استاندارد میدان راه دور در اتاق اندازه گیری بدون انعکاس (اتاق آنتن) اندازه گیری و سنجیده میشود.
پهنای باند امپدانس اندازه گیری شده از (ضریب بازتاب -10dB>) 26/12% (GHz2/16-3-14)، بیشترین بهرهها در dBi9/5، dBi37/3 و dBi32/3 اندازهگیری شد و تشعشع مؤثر شبیه سازی شده از 3/80% ، 3/81% و 5/82% به ترتیب در سه فرکانس تشدید GHz 5/15، GHz2/18 و GHz5/19 بدست آمده است.
کمترین بهره متغیر و متقارن و تقریباً ثابت الگوی تشعشعی اندازه گیری شد، نشان داد آنتن مورد نظر برای تجهیزات ماهوارهای در باند K، Ku موثر است.
شکل 1-1 دستگاه بورد مدار چاپی LPKF
مطالب الین نسخه در پنج فصل جمعآوری گردیده است، فصل اول الكترومغناطيس و معادلات ماكسول و فصل دوم مباني آنتن و فصل سوم آنتن مایکرواستریپ (ریزنوار)، فصل چهارم انواع بررسی آنتنهای پچ شکافی، و در انتها در فصل پنجم نحوه شبیهسازی آورده شده است.
مقدمه
آنتن patch ميكرواستريپ توسط يك زير لايه دي الكتريك از سطح زمين جدا ميشوند اين مفهوم در زمان انقلاب الكترونيكي (كوچك سازي مدار) در سال 1970 در مقياس وسيعي توسعه داده شد. پس از آن تحقيقات بسياري در زمينه سطح زير لايه دي الكتريك وتنظيمات مربوط به آن صورت گرفت،در بسياري از مقالات علمي و مقالاتي كه در مجلات طي ده سال گذشته به چاپ رسيده،انواع مدلهاي رياضي براي اين آنتنها و برنامههاي كاربردي آنها كه در زمينههاي ديگر نيز مورد استفاده قرار ميگيرد مورد بررسي قرار گرفته است. از جمله نصب اين نوع از آنتنها بر روي راكتها و موشكها نشان دهنده اهميت علمي آن و تلاش براي حل مشكلات سيستم اين آنتنها ميباشد.
انتخاب آنتن ميكرواستريپ، انتخاب آنتن حال حاضر جهان ميباشد. به طور كلي زير لايههاي با ثابت دي الكتريك پايين براي حداكثر تابش ترجيح داده ميشود. اشكال مختلفي از patch با تنظيمات متفاوت براي كاربردهاي متفاوت مورد استفاده قرار ميگيرد. اما شكل مستطيلي و دايروي از رايج ترين پيكربنديها ميباشد.
در فصل اول به توضيحي در زمينه الكترومغناطيس و معادلات ماكسول ميپردازيم. فصل دوم در مورد مباني آنتن و پارامترهاي آن شرح داده ميشود. فصل سوم صحبتي است پيرامون آنتنهاي مايكرواستريپ و در فصل چهارم بصورت مقدماتي در مورد انواع و ويژگيهاي آنتنهای patch صحبت خواهيم كرد. در نهايت فصل پنجم كه فصل مهمي ميباشد شبيه سازي آنتن پچ شكافي ميكرواستريپ دوبانده را به انجام ميرسانيم و با بررسي و مقايسه اين شبيه سازيها با نمونه ساخته شده به نتيجه نهايي خواهيم رسيد.
فصل اول:
الكترومغناطيس و معادلات ماكسول
1-1 تاريخچه پيدايش الكترومغناطيس
مبدا علم الكتريسيته به مشاهده معروف تالس ملطي (Thales of miletus) در 600 سال قبل از ميلاد بر ميگردد. در آن زمان تالس متوجه شد كه يك تكه كهرباي مالش داده شده خردههاي كاغذ را ميربايد. از طرف ديگر مبدا علم مغناطيس به مشاهده اين واقعيت بر ميگردد كه بعضي از سنگها (يعني سنگهاي ماگنتيت) بطور طبيعي آهن را جذب ميكند. اين دو علم تا سال 1199-1820 به موازات هم تكامل مييافتند.
در سال 1199-1820 هانس كريستان اورستد (1777-1851) مشاهده كرد كه جريان الكتريكي در سيستم ميتواند عقربه قطب نماي مغناطيسي را تحت تاثير قرار دهد. بدين ترتيب الكترومغناطيس به عنوان يك علم مطرح شد. اين علم جديد توسط بسياري از پژوهشگران كه مهمترين آنها مايكل فاراده بود تكامل بيشتري يافت.
جيمز كلرك ماكوسل قوانين الكترومغناطيس را به شكلي كه امروزه ميشناسيم، در آورد. اين قوانين كه معادلات ماكسول ناميده ميشوند، همان نقشي را در الكترومغناطيس دارند كه قوانين حركت و گرانش در مكانيك دارا هستند.